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　　IT之家4月30日动静，英特尔新任CEO陈立武今日正在美国加州圣何塞实行的Intel Foundry Direct Connect 2025举止中亮相，概述了公司正在晶圆厂代工项目上的发达。

　　陈立武布告，公司现正在正正在与即将推出的14A工艺节点（1.4nm等效）的首要客户举办接触，这是18A工艺节点的后续一代。

　　英特尔已有几个客户策划流片14A测试芯片，这些芯片现正在装备了公司巩固版的背后电源传输工夫，称为PowerDirect。

　　假设一起按策划举办，14A将成为行业首个采用High-NA EUV光刻工夫的节点。台积电的A14角逐敌手节点估计将正在2028年到来，但估计不会正在临盆中行使High-NA工夫。

　　英特尔还显现其新的18A-P（IT之家注：18A节点的本能版本）现正在正正在晶圆厂中运转，早期晶圆也已投产。

　　别的，英特尔官宣正正在拓荒新的18A-PT版本，该版本支柱Foveros Direct 3D，采用羼杂键合互连，使英特尔也许正在其最进步的当先节点上笔直堆叠晶圆。

　　Foveros Direct 3D工夫是一个枢纽的繁荣，由于它供应了一种角逐敌手台积电已正在临盆中行使的成效，最闻名的是AMD的3D V-Cache产物。原形上，英特尔正在枢纽互连密度衡量方面的竣工与台积电的产物相成家。

　　正在成熟的节点方面，英特尔晶圆厂现正在有了首个 16nm 量产晶圆，该公司现正在也正在与联电团结拓荒12nm节点。

　　针对进步封装需求，英特尔代工供应编造级集成供职，行使Intel 14A和Intel 18A-P 造程节点，通过 Foveros Direct（3D堆叠）和 EMIB（2.5D桥接）工夫竣工衔尾。

　　英特尔还将向客户供应新的进步封装工夫，囊括面向改日高带宽内存需求的EMIB-T；正在Foveros 3D进步封装工夫方面，Foveros-R和 Foveros-B也将为客户供应更多高效敏捷的采取。

　　缔造方面，英特尔亚利桑那州的Fab 52晶圆厂告捷“全流程运转”，标记着通过该方法加工了第一块晶圆。英特尔18A的大范畴临盆将正在俄勒冈州的英特尔工场下手，而亚利桑那州的缔造将正在本年晚些时辰增添。